INTEL Y MICRON, PRIMEROS EN MOSTRAR LA MEMORIA FLASH NAND DE 3 BITS POR CELDA
Intel Corporation y Micron Technology, Inc. anunciaron la disponibilidad de la memoria flash NAND de 3 bits por celda (3bpc) con la tecnología de proceso de silicio de 25 nanómetros (nm), produciendo así el dispositivo NAND más pequeño y con mayor capacidad de la industria. Intel y Micron esperan estar en plena producción a finales de año.
El nuevo dispositivo de 3bpc con 64 gigabits (Gb) de memoria y tecnología de proceso de 25 nm ofrece una mayor eficiencia de costos y una mayor capacidad de almacenamiento para la competitiva tarjeta flash USB – SD (Secure Digital) y los mercados de electrónica de consumo. La memoria flash se usa principalmente para almacenar datos, fotos y otros contenidos multimedia para su uso en la captura y transferencia de datos entre dispositivos informáticos y digitales, como cámaras digitales, reproductores multimedia portátiles, cámaras de video digitales y todo tipo de computadoras personales. Estos mercados están bajo presión constante para proporcionar mayores capacidades a precios bajos.
Diseñado por la empresa IM Flash Technologies (IMFT), un emprendimiento conjunto para el desarrollo de flash NAND, la litografía de 64 Gb, u 8 gigabytes (GB), con tecnología de 25 nm almacena tres bits de información por celda, en comparación con la capacidad más reducida de las tradicionales de un bit (“Single-Level Cell”) o dos bits (Multi-Level Cell). La industria también se refiere a la 3bpc como “Triple-Level Cell” (TLC). El dispositivo es más de 20 por ciento más pequeño que el MLC de 25 nm de Intel y Micron de la misma capacidad, siendo el único dispositivo de 8GB más pequeño, que se encuentra en producción en el mercado actualmente.
La memoria flash de pequeño formato es especialmente importante para las tarjetas flash destinadas a productos para consumidores finales, debido a su diseño compacto. La oblea mide 131mm2 y viene en un paquete TSOP estándar industrial.
“Con el lanzamiento en enero de la oblea con el tamaño más pequeño de la industria con tecnología de 25 nm, seguido rápidamente por el paso a los 3 bits por celda en 25 nm, continuamos ganando impulso y ofreciéndoles a los clientes un conjunto de productos líderes”, dijo Tom Rampone, vicepresidente de Intel y gerente general del Intel NAND Solutions Group. “Intel tiene previsto utilizar el liderazgo de IMFT en el diseño y la fabricación para entregarles a nuestros clientes productos de mayor densidad a precios competitivos, basados en el nuevo dispositivo 8GB TLC 25nm NAND”.
“A medida que la importancia de la memoria NAND sigue aumentando en productos electrónicos de consumo, vemos la transición temprana a la TLC de 25nm como una ventaja competitiva en nuestra creciente cartera de productos de memoria NAND”, dijo Brian Shirley, vicepresidente del NAND Solutions Group de Micron. “Ya estamos trabajando para calificar el dispositivo flash de 8GB TLC NAND dentro de diseños de productos finales, incluyendo productos de mayor capacidad de Lexar Media y Micron.”
