Samsung Electronics, ahora anuncia que se ha convertido en la primera compañia en comenzar a producir en masa las memorias flash de 16 gigabites (GB) NAND, la memoria de capacidad más alta disponible. La compañía dijo que fabricará los dispositivos en 51 nanómetros, la tecnología de proceso más fina que se utilizará en la producción  hasta la fecha, estamos  abriendo las puertas en un campo que esta mucho más amplio para la electrónica de consumo de memoria flash,” dijo a Jim Elliott, director, “Para reducir al mínimo los costos de producción y mejorar funcionamiento, hemos aplicado la tecnología de proceso más fina una generación adelante de la industria, que está introduciendo 55nm. Los chips de la flash de 51nm NAND de Samsung se pueden producir 60 por ciento más eficientemente que ésos producidos con la tecnología de proceso 60nm. Samsung alcanzó este nuevo record de migración apenas ocho meses después de anunciar la producción de su 60nm 8Gb NAND el pasado mes de agosto. Los chips de la  nueva flash de 16Gb  tiene una estructura de niveles múltiples de la célula (MLC) puede facilitar la extensión de la capacidad ofreciendo 16 gigabytes (GBs) en una sola tarjeta de memoria. Además, aplicando la nueva tecnología de proceso.

TechPowerUp